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    半导体物理学
    课程类型：选修课
    发布时间：2024-05-27 09:28:58
    主讲教师：
    课程来源：
    建议学分：0.00分
    课程编码：mk004008
    课程介绍
    课程目录
    教师团队
    {1}--第一章
    s [1.1]--1.1 半导体中的电子状态和能带 （0分钟）
    s [1.2]--1.2 半导体中的电子运动、有效质量 （0分钟）
    s [1.3]--1.4 载流子的回旋共振 （0分钟）
    {2}--第二章
    s [2.1]--2.1 杂质和杂质能级 （0分钟）
    s [2.2]--2.2 缺陷及其作用_1 （0分钟）
    {3}--第三章
    s [3.1]--3.1状态密度 （0分钟）
    s [3.2]--3.3 电子和空穴浓度的一般表达式 （0分钟）
    s [3.3]--3.4 本征半导体的载流子浓度_1 （0分钟）
    s [3.4]--3.5 杂质补偿半导体 （0分钟）
    {4}--第四章
    s [4.1]--4.1 载流子的漂移运动和迁移率 （0分钟）
    s [4.2]--4.2 迁移率与杂质浓度和温度的关系 （0分钟）
    s [4.3]--4.3 强电场下的效应、热载流子 （0分钟）
    {5}--第五章
    s [5.1]--5.1 非平衡载流子的注入、寿命和准费米能级 （0分钟）
    s [5.2]--5.2 复合理论 （0分钟）
    s [5.3]--5.3 陷阱效应 （0分钟）
    s [5.4]--5.4 非平衡载流子的扩散运动 （0分钟）
    s [5.5]--5.5 爱因斯坦关系 （0分钟）
    s [5.6]--5.6 连续性方程 （0分钟）
    {6}--第六章
    s [6.1]--6.1 热平衡条件下的pn结 （0分钟）
    s [6.2]--6.2 pn结的伏安特性 （0分钟）
    s [6.3]--6.3 pn结电容和击穿 （0分钟）
    {7}--第七章
    s [7.1]--7.1 金属半导体接触及其能级图 （0分钟）
    s [7.2]--7.2 金属半导体接触整流理论 （0分钟）
    s [7.3]--7.3 少数载流子的注入和欧姆接触 （0分钟）
    {8}--第八章
    s [8.1]--8.1 表面电场效应 （0分钟）
    s [8.2]--8.2 MIS结构电容-电压特性 （0分钟）
    s [8.3]--8.3 硅-二氧化硅系统性质 （0分钟）
    s [8.4]--8.4 表面电场对pn结特性的影响 （0分钟）
    {9}--第九章
    s [9.1]--9 异质结 （0分钟）
    {10}--第十章
    s [10.1]--第一章 （0分钟）
    s [10.2]--1.2 （0分钟）
    s [10.3]--1.1 （0分钟）
    新ICP备2023001073号-1 　　
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